BẢO TỒN BIT-ALIASING DỰA TRÊN VIỆC LẤY MẪU TUẦN TỰCHO CÁC CHỨC NĂNG KHÔNG THỂ SAO CHÉP VẬT LÝ VỚI SỰ BIẾN ĐỔI NHIỆT ĐỘ

Abstract

Các thiết bị điện trở nhớ bị ảnh hưởng nhiều bởi sự thay đổi về kích thước vật lý, điện áp cung cấp và nhiệt độ. Sự thay đổi về độ dày và diện tích được chuyển thành các thay đổi về thời gian đọc và ghi của điện trở nhớ khi sử dụng thiết bị như một ô nhớ. Những sự biến đổi đó ảnh hưởng đến giá trị điện trở và trạng thái của thiết bị. Sự phụ thuộc giữa thời gian ghi và sự thay đổi quy trình của điện trở nhớ đã được nghiên cứu như là một ứng cử viên đắt giá của chức năng không thể sao chép vật lý (PUF- Physically Unclonable Function). Tuy nhiên, ảnh hưởng từ các nguồn khả biến khác có thể làm giảm chất lượng hoạt động của thiết bị PUF. Trong bài báo này, chúng tôi giới thiệu phương pháp tăng bit-aliasing của PUF dựa trên điện trở nhớ với sự biến đổi thời gian ghi trong khi xem xét sự ảnh hưởng của sự biến đổi nhiệt độ. Bằng cách khai thác tính bất biến của điện trở nhớ, phương pháp được đề xuất cố gắng lấy nhiều mẫu để tạo khóa với Bit-aliasing lớn nhất trong khi phương pháp thông thường cố gắng dừng xung lập trình khi giá trị Bit-aliasing được đo đáp ứng ngưỡng. Kết quả thử nghiệm cho thấy rằng giá trị được đề xuất tăng độ chính xác của Bit-aliasing lên 17% ngay cả với tần số hoạt động của đơn vị lấy mẫu thấp hơn nhiều.